| 型号： | BC847BLP-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR NPN BIPOL 3-DFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BC847BLP-7 PDF |  |
| 产品目录绘图 | DFN1006-3 Side DFN1006-3 Bottom |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BC847BLPDIDKR |